Создание диэлектрических мембран с низким уровнем механических напряжений - Амеличев В. В., Генералов С. С., Никифоров С. В. (Новое слово в науке: перспективы развития, 2015)
в статье представлены результаты расчета механических напряжений в мембранах на основе комбинации пленок SiO2 и Si3N4. Рассчитано оптимальное соотношение толщин данных пленок для минимизации механических напряжений. Показано, что превышение данного значения ведет к преобладанию растягивающих напряжений, что приводит к большему «буклетированию». Показано, что гофрирование мембран позволяет увеличить механическую чувствительность за счет локализации в них механических напряжений
Keywords: MEMS; microsystems technology; dielectric membrane; stresses; buckling; МЭМС; микросистемная технология; диэлектрические мембраны; механические напряжения; буклетирование