Центр научного сотрудничества "Интерактив плюс"
info@interactive-plus.ru
+7 (8352) 222-490
2130122532
Центр научного сотрудничества «Интерактив плюс»
RU
428000
Чувашская Республика
г.Чебоксары
ул.Гражданская, д.75
428000, Россия, Чувашская Республика, г. Чебоксары, улица Гражданская, дом 75
+7 (8352) 222-490
RU
428000
Чувашская Республика
г.Чебоксары
ул.Гражданская, д.75
56.125001
47.208966

Расчет профиля легирования примесями эпитаксиального слоя

Статья в сборнике трудов конференции
III Международная научно-практическая конференция «Научные исследования: теория, методика и практика». Том 1
Creative commons logo
Опубликовано в:
III Международная научно-практическая конференция «Научные исследования: теория, методика и практика». Том 1
Автор:
Гостев А.Г. 1
Рубрика:
Естественные науки (физические и химические науки)
Рейтинг:
Статья просмотрена:
1747 раз
Размещено в:
eLibrary.ru
1 ФГБОУ ВО «Донской государственный технический университет»
Для цитирования:
Гостев А. Г. Расчет профиля легирования примесями эпитаксиального слоя: сборник трудов конференции. // Научные исследования: теория, методика и практика : материалы III Междунар. науч.-практ. конф. (Чебоксары, 19 нояб. 2017 г.). В 2 т. Т. 1 / редкол.: О. Н. Широков [и др.] – Чебоксары: Центр научного сотрудничества «Интерактив плюс», 2017. – Т. 1, № 3. – С. 25-28. – ISBN 978-5-6040208-6-9.

  • Метаданные
  • Полный текст
  • Метрики

Аннотация

В данной статье рассматриваются положения, законы и принципы, на которых строится полуаналитическая приборно-технологическая модель расчёта электрических характеристик планарно-эпитаксиального многоэмиттерного биполярного транзистора.

Список литературы

  1. 1. Носов Ю.Р. Математические модели элементов интегральной электроники / Ю.Р. Носов, К.О. Петросянц, В.А. Шилин. – М.: Сов. радио, 1976. – 304 с.
  2. 2. Process and Device Simulation Tools to Accelerate Innovation // Synopsys [Электронный ресурс]. – Режим доступа: http://www.synopsys.com/TOOLS/TCAD/ (дата обращения: 06.02.2017).
  3. 3. Тихомиров П. Система SENTAURUS TCAD компании SYNOPSYS. Новое поколение приборно-технологических САПР / П. Тихомиров, П. Пфеффли, М. Зорзи // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. – 2006. – №7. – С. 89.
  4. 4. Базылев В.К. Расчёт биполярных транзисторов: Учеб. пособие / В.К. Базылев. – Рязань: РГРА, 2004. – 68 с.
  5. 5. Березин А.С. Технология и конструирование интегральных микросхем: Учебное пособие для вузов / А.С. Березин, О.Р. Мочалкина; под общ. ред. И.П. Степаненко. – М: Радио и связь, 1983. – 232 с.
  6. 6. Крутякова М.Г. Полупроводниковые приборы и основы их проектирования / М.Г. Крутякова, Н.А. Чарыков, В.В. Юдин. – М.: Радио и связь, 1983. – 352 с.
  7. 7. Гуртов В.А. Твердотельная электроника / В.А. Гуртов. – М.: Техносфера, 2008. – 512 с.
  8. 8. Колосницын Б. С. Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем: Учеб.-метод. пособие. В 2 ч. Ч. 1: Расчет и проектирование биполярных транзисторов / Б.С. Колосницын. – Минск: БГУИР, 2011. – 68 с.
  9. 9. Тугов Н.М. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов / Н.М. Тугов, Б.А. Глебов, Н.А. Чарыков; под ред. В.А. Лабунцова. – М.: Энергоатомиздат, 1990. – 576 с.

Комментарии(0)

При добавлении комментария укажите:
  • степень актуальности публикуемого материала;
  • общую оценку (оригинальность и актуальность темы, полнота, глубина, всесторонность раскрытия темы, логичность, связность, доказательность, структурная упорядоченность, характер и достоверность примеров, иллюстративного материала, убедительность выводов);
  • недостатки, недочеты;
  • вопросы и пожелания Автору.