Ткаченко Роман Юрьевич

Место работы

Организация:
ФГБОУ ВО «Московский технологический университет»
Должность:
аспирант

Статьи автора(2)

Ограничения в применении модельных зависимостей кривой намагничивания полишаровой среды

13.04.2017

Аннотация

авторами показана возможность ограниченного применения получаемых расчетных (с использованием физической модели поканального намагничивания гранулированной среды и степенной связи магнитной проницаемости металла гранул с напряженностью поля – в постэкстремальной области) зависимостей кривой намагничивания засыпки шаров: в диапазоне напряженности поля от 20–30 до 70–80 кА/м.
подробнее

Об уровне намагничивания «коротких» сплошных и гранулированных магнетиков

26.04.2017

Аннотация

на примере несплошных (гранулированных, в виде засыпок шаров ШХ15) и сплошных (стальных) ферромагнитных цилиндрических образцов в статье анализируются зависимости их размагничивающего фактора от относительного габарита образца (отношения его длины к диаметру). Подтверждена идентичность общего функционального вида таких зависимостей (для квазисплошных и сплошных образцов): экспоненциального – с таким аргументом как радикал относительного габарита. Отмечено, что множитель перед экспонентой является слабой степенной функцией магнитной проницаемости материала образца, обращающийся практически в ко...
подробнее