Список публикаций по ключевому слову: «полупроводники»
Технические науки (электромеханика, приборостроение, машиностроение, металлургия и др.)
Дата публикации: 28.12.2018 г.
Оцените материал Средняя оценка: 0 (Всего: 0)
Шаронина Ирина Сергеевна , студентка
ФГБОУ ВО «Омский государственный технический университет» , Омская обл
«Возможность реализации полупроводниковых транзисторов на графене»
Естественные науки
Дата публикации: 30.01.2018 г.
Оцените материал Средняя оценка: 0 (Всего: 0)
Фисенко Тимофей Евгеньевич , магистрант
Федяева Оксана Анатольевна , д-р хим. наук , доцент
ФГБОУ ВО «Омский государственный технический университет» , Омская обл
«Дисперсионный анализ порошков алмазоподобных полупроводников»
Естественные науки (физические и химические науки)
Дата публикации: 19.04.2017 г.
Оцените материал Средняя оценка: 0 (Всего: 0)
ФГБОУ ВО «Санкт-Петербургский горный университет» , Санкт-Петербург г
«Примесные U-минус центры олова в халькогенидных полупроводниках A4B6 и A5B6»
В настоящей работе представлены исследования по идентификации методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на материнских изотопах 119mmSn(119mSn), 119Sb(119mSn) и 119mTe(119mSn) примесных U-минус центров олова в халькогенидных кристаллических (PbS, PbSe) и стеклообразных (GexS1-x, GexSe1-x, AsxS1-x и AsxSe1-x) полупроводниках, причем указанные центры образуются в результате ядерных превращений материнских атомов в соответствующих узлах кристаллической решетки PbS, PbSe (т.е. в положениях свинца и халькогена) и в узлах структурной сетки стекла (т.е. в положениях мышьяка, германия и халькогенов). Для определения количественного состава исследуемых стекол и кристаллов была использована рентгенофлуоресцентная спектроскопия.