«Основные положения теории диффузии. Первый и второй законы Фика»
В данной статье рассматриваются положения, законы и принципы, на которых строится полуаналитическая приборно-технологическая модель расчёта электрических характеристик планарно-эпитаксиального многоэмиттерного биполярного транзистора.
Использование куки-файлов
Для оптимальной работы сайта и оптимизации его дизайна мы используем куки-файлы, а также сервис Яндекс.Метрика для сбора и статистического анализа данных о посещении Вами страниц сайта. Продолжая использовать сайт, Вы соглашаетесь на использование куки-файлов и указанного сервиса.