List of publications on a keyword: «транзистор»
Естественные науки (физические и химические науки)
FSBEI of HE "Don State Technical University" , Ростовская обл
«Расчет профиля легирования примесями эпитаксиального слоя»
В данной статье рассматриваются положения, законы и принципы, на которых строится полуаналитическая приборно-технологическая модель расчёта электрических характеристик планарно-эпитаксиального многоэмиттерного биполярного транзистора.
Gostev Aleksei Grigorevich , магистрант
FSBEI of HE "Don State Technical University" , Ростовская обл
«Полуаналитическая приборно-технологическая модель расчёта планарно-эпитаксиального многоэмиттерного биполярного транзистора»
В данной статье рассматриваются положения, законы и принципы, на которых строится полуаналитическая приборно-технологическая модель расчёта электрических характеристик планарно-эпитаксиального многоэмиттерного биполярного транзистора.
Естественные науки
FSBEI of HE "Don State Technical University" , Ростовская обл
«Основные положения теории диффузии. Первый и второй законы Фика»
В данной статье рассматриваются положения, законы и принципы, на которых строится полуаналитическая приборно-технологическая модель расчёта электрических характеристик планарно-эпитаксиального многоэмиттерного биполярного транзистора.
Информатика и вычислительная техника
Pavlova Svetlana Mikhailovna , candidate of pedagogical sciences , доцент
Muromskii institut (filial) FGBOU VO "Vladimirskii gosudarstvennyi universitet im. A.G. i N.G. Stoletovykh" , Владимирская обл
«Razrabotka komp'iuternoi modeli nanoelektronnogo elementa vychislitel'noi sistemy»
В данной работе представлено исследование наноэлектронной элементной базы, а также описание и разработка компьютерной модели полевого нанотранзистора на основе графена.
Техника и технология в строительстве
Aralov Gairat Mukhammadievich , ассистент
Karshinskii inzhenerno-ekonomicheskii institut , Uzbekistan
«Pogreshnosti magnitomoduliatsionnykh izmeritel'nykh»
В данной статье предложены погрешности магнитомодуляционных измерительных устройств постоянного тока.
Технические науки (электромеханика, приборостроение, машиностроение, металлургия и др.)
Sharonina Irina Sergeevna , студентка
FGBOU VO "Omskii gosudarstvennyi tekhnicheskii universitet" , Омская обл
«Vozmozhnost' realizatsii poluprovodnikovykh tranzistorov na grafene»
В данной статье рассмотрены полупроводниковые транзисторы, представлены опыты реализации этих устройств на основе графена.
Технические науки
Fedanov Nikolai Sergeevich , студент
Nurekenova Makhabbat Serkzhanovna , студентка
FSBEI of HE "Ural State University of Railway Transport" , Свердловская обл
«Влияние измерительных приборов на точность измерений»
В данной статье авторами рассматривается вопрос сравнения расчетных и экспериментальных значений коэффициента усиления и искажений в любом диапазоне рабочих частот усилителя. Отмечаются плюсы и минусы того и другого метода в образовательном процессе.