Gostev Aleksei Grigorevich

Place of work

Organization:
FSBEI of HE "Don State Technical University"

Author's articles(6)

Особенности феномена личностной зрелости в современной психологии

11.09.2017

Annotation

в статье произведен обзор феномена личностной зрелости. Проведен теоретический анализ определений, литературный обзор, выявлен уровень личностной зрелости респондентов (специалистов первичной профсоюзной организации), определена проблематика темы на данный момент.
more

Полуаналитическая приборно-технологическая модель расчёта планарно-эпитаксиального многоэмиттерного биполярного транзистора

13.09.2017

Annotation

в данной статье рассматриваются положения, законы и принципы, на которых строится полуаналитическая приборно-технологическая модель расчёта электрических характеристик планарно-эпитаксиального многоэмиттерного биполярного транзистора.
more

К проблеме изучения феномена самоотношения в современной психологии

13.10.2017

Annotation

в данной статье произведен обзор феномена самоотношения. Проведен теоретический анализ определений, литературный обзор, выявлен уровень самоотношения респондентов (специалистов первичной профсоюзной организации), определена проблематика темы на данный момент.
more

К проблеме изучения факторов нарушения здоровья школьников

09.11.2017

Annotation

данное исследование поведено с целью выявления некоторых психосоциальных факторов, ведущих к риску нарушений здоровья у детей младшего школьного возраста. Здоровье этих детей действительно характеризуются повышенным уровнем тревожности, сниженной самооценкой, а также неблагополучием в семейных и межличностных отношениях. Рассматриваются теоретические и эмпирические исследования вклада психологических защит.
more

Основные положения теории диффузии. Первый и второй законы Фика

09.11.2017

Annotation

в данной статье рассматриваются положения, законы и принципы, на которых строится полуаналитическая приборно-технологическая модель расчёта электрических характеристик планарно-эпитаксиального многоэмиттерного биполярного транзистора.
more

Расчет профиля легирования примесями эпитаксиального слоя

17.11.2017

Annotation

в данной статье рассматриваются положения, законы и принципы, на которых строится полуаналитическая приборно-технологическая модель расчёта электрических характеристик планарно-эпитаксиального многоэмиттерного биполярного транзистора.
more