Список публикаций по ключевому слову: «многоэмиттерный биполярный транзистор»
Естественные науки
Дата публикации: 10.11.2017 г.
Оцените материал Средняя оценка: 0 (Всего: 0)
ФГБОУ ВО «Донской государственный технический университет» , Ростовская обл
«Основные положения теории диффузии. Первый и второй законы Фика»
В данной статье рассматриваются положения, законы и принципы, на которых строится полуаналитическая приборно-технологическая модель расчёта электрических характеристик планарно-эпитаксиального многоэмиттерного биполярного транзистора.
Естественные науки (физические и химические науки)
Дата публикации: 22.11.2017 г.
Оцените материал Средняя оценка: 0 (Всего: 0)
ФГБОУ ВО «Донской государственный технический университет» , Ростовская обл
«Расчет профиля легирования примесями эпитаксиального слоя»
В данной статье рассматриваются положения, законы и принципы, на которых строится полуаналитическая приборно-технологическая модель расчёта электрических характеристик планарно-эпитаксиального многоэмиттерного биполярного транзистора.
Дата публикации: 20.09.2017 г.
Оцените материал Средняя оценка: 0 (Всего: 0)
Гостев Алексей Григорьевич , магистрант
ФГБОУ ВО «Донской государственный технический университет» , Ростовская обл
«Полуаналитическая приборно-технологическая модель расчёта планарно-эпитаксиального многоэмиттерного биполярного транзистора»
В данной статье рассматриваются положения, законы и принципы, на которых строится полуаналитическая приборно-технологическая модель расчёта электрических характеристик планарно-эпитаксиального многоэмиттерного биполярного транзистора.