Создание диэлектрических мембран с низким уровнем механических напряжений
Аннотация
в статье представлены результаты расчета механических напряжений в мембранах на основе комбинации пленок SiO2 и Si3N4. Рассчитано оптимальное соотношение толщин данных пленок для минимизации механических напряжений. Показано, что превышение данного значения ведет к преобладанию растягивающих напряжений, что приводит к большему «буклетированию». Показано, что гофрирование мембран позволяет увеличить механическую чувствительность за счет локализации в них механических напряжений
подробнее